三星計劃在2021年下半年推出4納米工藝，并計劃在3納米節(jié)點使用閘極全環(huán)晶體管（GAA），以超越臺積電5納米FinFET技術。

三星為了擴大在美國市場，一直與美國進行談判，以擴大在德州奧斯汀的工廠，并可能在紐約、亞利桑那州或德州增設一家芯片制造工廠，計劃投資超過1500億美元。截至目前，尚未透露其最終選擇地點和計劃。

如今，韓國更是積極出面，與華盛頓建立一條熱線電話，討論穩(wěn)定半導體供應的合作，并在全球芯片短缺的情況下，提升現有產業(yè)合作對話管道的水準。

簡單來說，三星從工藝技術提升、采用更先進技術、迎合美國設點需求、以及韓國出面協調等面向，全面追趕臺積電落后的腳步。如今三星更決定于2026年提高晶圓產能三倍，搶奪晶圓代工未來成長的市場。

三星表示，將擴大在首爾南部平澤的生產線，并可能在美國建立一家新工廠，以滿足對企業(yè)客戶客制化芯片不斷成長的需求。這家韓國科技巨頭正在努力提高其在晶圓代工業(yè)務中的競爭力，并使其零組件更具成本效益。

不過，有專家表示，三星從未對外透露在5納米和7納米等先進節(jié)點方面的實際芯片產能，因此很難理解“三倍”的實際含義。三星重申計劃在2022年上半年，為客戶生產首批3納米芯片，而其第二代3納米芯片則是預計于2023年才開始生產。換個角度來說，三星期望晶圓代工業(yè)務能夠通過3納米GAA閘極全環(huán)工藝確保技術領先地位，并通過積極投資滿足需求，進而獲取市場青睞的成果。

對于三星來說，閘極全環(huán)是一種新技術，它使得晶體管更有效，性能提高30%，功耗降低50%。預計三星的晶圓代工銷售額將在五年內增加兩倍，客戶上也可增加數百名。其進一步預估，三星的客戶數量正處于急劇增加的狀態(tài)，從2017年的35個增加到2021年的100多個，預計到2026年將可超過300個。

以上就是英銳恩單片機開發(fā)工程師分享的“三星提高三倍產能搶奪晶圓代工市場？”。英銳恩專注單片機應用方案設計與開發(fā)，提供8位單片機、16位單片機、32位單片機。